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Einzelheiten zu den Produkten

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Faseroptikkreiselkompaß
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Hochstabile Trägheitssensor MEMS-Gyroschip für OEM-IMU-Integration

Hochstabile Trägheitssensor MEMS-Gyroschip für OEM-IMU-Integration

Markenbezeichnung: Firepower
Modellnummer: MGZ318HC-A1
MOQ: 1
Preis: Verhandlungsfähig
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsfähigkeit: 500/Monat
Einzelheiten
Herkunftsort:
China
Produktname:
GYRO PCB
Reichweite:
400°/s
Bandbreite:
> 200 Hz
Biasstabilität:
<0,1°/h
Bias-Stabilität (1σ 10s):
<1°/h
Bias-Stabilität (1σ 1s):
3°/h
Verpackung Informationen:
sponge+box
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
500/Monat
Produktbeschreibung
Hochstabiler Trägheitssensor-MEMS-Gyro-Chip für die OEM-IMU-Integration

Unser MEMS-Gyroskopchip liefert eine hochpräzise Winkelgeschwindigkeitsmessung für erweiterte Trägheitsnavigations- und Bewegungssteuerungsanwendungen. Entwickelt mit Zuverlässigkeit auf Luft- und Raumfahrtniveau und Haltbarkeit auf Industrieniveau, bietet es extrem geringes Rauschen, geringe Vorspannungsinstabilität und hervorragende Temperaturstabilität für Plattformen, die langfristige Genauigkeit und robuste Leistung erfordern.

Dieser MEMS-Gyro-Chip wurde für UAVs, autonome Roboter und Industrieanlagen entwickelt und bietet eine schnelle dynamische Reaktion, einen kompakten Formfaktor und einen geringen Stromverbrauch – was ihn ideal für eingebettete Navigationssysteme und Präzisionsbewegungsplattformen macht.

PCB-Designrichtlinien
  • Entkopplungskondensatoren für die Pins VCP, VREF, VBUF und VREG sollten so nah wie möglich an den Pins platziert werden, mit minimalem Leiterbahnäquivalentwiderstand
  • Die anderen Enden der Entkopplungskondensatoren für VREF, VBUF und VREG sollten mit dem nächstgelegenen AVSS_LN und dann über eine Magnetperle mit der Signalmasse verbunden werden
  • Entkopplungskondensatoren für VCC und VIO müssen in der Nähe der entsprechenden Pins platziert werden
  • Der VCC-Betrieb erfordert einen Strom von etwa 35 mA – verwenden Sie breite PCB-Leiterbahnen, um Spannungsstabilität sicherzustellen
  • Vermeiden Sie für eine reibungslose Montage eine Führung unter der Verpackung
  • Positionieren Sie Komponenten so, dass Spannungskonzentrationsbereiche, große Wärmeableitungselemente, mechanische Kontaktpunkte und verzugsanfällige Stellen vermieden werden
Hochstabile Trägheitssensor MEMS-Gyroschip für OEM-IMU-Integration 0
Leistungsangaben
Leistung Einheit MGZ318HC-A1 MGZ221HC-A4 MGZ330HC-O1
Reichweite Grad/s 400 400 400
Bandbreite @3DB angepasst Hz 200 200 300
Ausgabegenauigkeit (digitaler SPI) Bits 24 24 24
Ausgaberate (ODR) (angepasst) Hz 12K 12K 12K
Verzögerung (angepasst) MS <1,5 <1,5 <1
Bias-Stabilität Grad/Std. (1o) <0,1 <0,5 <0,1
Bias-Stabilität (1σ 10s) Grad/Std. (1o) <1 <5 <1
Bias-Stabilität (1σ 1s) Grad/Std. (1o) <3 <15 <3
Bias-Fehler über der Temperatur (1σ) Grad/Std. (1o) <10 <30 10
Vorspannungstemperaturschwankungen, kalibriert (1σ) Grad/Std. (1o) <1 <10 <1
Bias-Wiederholbarkeit Grad/Std. (1o) <0,5 <3 <0,3
Skalierungsfaktor bei 25°C lsb/deg/s 16000 16000 20000
Wiederholbarkeit des Skalierungsfaktors (1σ) ppm(1o) <20 ppm <20 ppm <100 ppm
Skalierungsfaktor vs. Temperatur (1σ) ppm(1o) <100 ppm <100 ppm <300 ppm
Nichtlinearität des Skalierungsfaktors (1σ) ppm <150 ppm <150 ppm <300 ppm
Angular Random Walk (ARW) °/√h <0,05 <0,25 <0,05
Rauschen (Spitze zu Spitze) Grad/s <0,35 <0,4 <0,25
GWert-Empfindlichkeit °/h/g <1 <3 <1
Vibrationskorrekturfehler (12 gRMS, 20-2000) °/h/g(rms) <1 <3 <1
Einschaltzeit (gültige Daten) S 750m
Resonanzfrequenz des Sensors hz 10,5k-13,5k
Umweltspezifikationen
  • Aufprall (eingeschaltet): 500 g, 1 ms
  • Schlagfestigkeit (ausgeschaltet): 10000 g, 10 ms
  • Vibration (eingeschaltet): 18 g rms (20 Hz bis 2 kHz)
  • Arbeitstemperatur: -40℃ bis +85℃
  • Lagertemperatur: -55℃ bis +125℃
  • Versorgungsspannung: 5 ± 0,25 V
  • Stromverbrauch: 45mA
Hochstabile Trägheitssensor MEMS-Gyroschip für OEM-IMU-Integration 1
Installationsrichtlinien

Dieses Hochleistungs-MEMS-Gyroskop ist ein Präzisionsgerät. Berücksichtigen Sie für eine optimale Leistung die folgenden Installationsempfehlungen:

  • Bewerten Sie die Sensorplatzierung mithilfe von Thermoanalyse, Biegemessung und Finite-Elemente-Simulation
  • Führen Sie nach dem Löten Falltests durch, um die Schlagfestigkeit zu überprüfen
  • Halten Sie Abstand zu Stresskonzentrationspunkten:
    • Verwenden Sie eine Leiterplattendicke von 1,6–2,0 mm, um Eigenspannungen zu minimieren
    • Vermeiden Sie eine Platzierung in der Nähe von Tasten oder mechanischen Belastungspunkten
    • Von Wärmequellen wie Controllern oder Grafikchips fernhalten